长江存储全国产化产线今年试产!力争2026年全球份额15%
长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来,
未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构,最终可能会使比特产量翻倍,大规模生产还需要时间。计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080,
长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、据报道,如果试验成功,以及一款2TB的TLC X5-9080。
分析师认为,首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。约占全球产能的8%,长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破,
TechInsights的报告显示,
快科技7月22日消息,

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责任编辑:黑白
该芯片通过堆叠两层实现总共294层。公司已经开始出货232层TLC(三层单元)芯片(X4-9070),长江存储的产能已接近每月13万片晶圆,长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。为了减少对外国设备的依赖,依然积极推进产能扩张计划,不过这可能会牺牲一些吞吐量。
目前,该设施是实验性的,这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。以提高每片晶圆的比特数,不过由于在极紫外光刻(EUV)等关键领域中国仍存在差距,但他们也提醒说,并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。并将市场份额推高至超过15%,
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